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[发明专利]使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备-CN201210243209.1无效
发明人：李灿;张文华;郑霄家;于东麒;熊锋强 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用半导体薄膜做敏化剂的太阳电池光阳极及其制备，其包含由纳米金属氧化物半导体材料、表面覆盖的半导体敏化剂薄膜组成的光阳极、可以发生氧化及还原反应的电解质以及对电极组成，光阳极与对电极使用热封膜隔开其中，光阳极与电解质接触的界面处电解质发生氧化反应，对电极与电解质接触的界面处电解质发生还原反应。特点是光阳极采用n型宽带隙半导体材料，使用原子层沉积技术在宽带隙半导体材料表面生长多种n型半导体敏化剂薄膜组成太阳电池的光阳极，大大拓宽光阳极的吸光范围，同时半导体薄膜敏化层使宽带隙半导体与电解质隔开，大幅降低光生载流子在界面的复合，显著提高太阳电池的效率。
使用半导体薄膜做敏化剂太阳电池阳极及其制备

[发明专利]一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法-CN201310693176.5在审
发明人：李灿;刘桂继;施晶莹;章福祥;丁春梅;陈政 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： C01B3/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高窄禁带半导体光阳极光电催化放氧反应稳定性的方法。通过在窄禁带半导体光阳极表面修饰空穴储存层的方法，抑制在半导体光阳极表面发生的光致自氧化腐蚀反应引起的性能衰减，促使光阳极光电催化放氧反应的稳定进行。利用本发明提供的方法，能够使窄禁带半导体光阳极的活性工作寿命由数分钟提升至数小时以上，这为实现太阳能分解水制氢技术的工业应用提供了一条崭新的途径。
一种提高窄禁带半导体阳极光电催化反应稳定性方法

[实用新型]一种太阳能电池结构-CN201720236181.7有效
发明人：王爽;文贵华;黄林;于振涛;刘建国;吴聪萍;邹志刚 -专利权人：南京大学昆山创新研究院
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能电池领域，具体为一种太阳能电池结构，包括位置相对应的光阳极和对电极，其特征在于光阳极由第一导电基底、光阳极半导体纳米层以及穿插于光阳极半导体纳米层两侧的第一导电Ag栅层组成，光阳极半导体纳米层为若干条平行的光阳极半导体纳米层模块相互连通形成相对于现有技术，本实用新型的有益效果是本实用新型通过优化光阳极结构及配套的光阳极、对电极Ag栅结构，实现减少电解质灌注孔的数量，降低电解质的挥发、泄露，有益于提高染料敏化太阳能电池的寿命及稳定性。
一种太阳能电池结构

[发明专利]一种基于聚酰亚胺电纺膜的柔性染料敏化太阳能电池的复合光阳极及其制备方法-CN202211427832.2在审
发明人：王闻宇;刘子甄;金欣 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于聚酰亚胺电纺膜的柔性染料敏化太阳能电池的复合光阳极及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该复合光阳极由染料敏化的复合半导体层和柔性透明导电聚合物薄膜经压力复合得到。本发明复合光阳极的半导体层之间连接更加紧密、半导体层可实现自支撑、加工更加简单、生产原料成本更低，具有可实现太阳光从光阳极方向入射、具有更高的光电转化效率上限、半导体层柔性大的优点；在此基础上解决了聚合物难以应用在高温制造染料敏化太阳能电池光阳极领域的问题，为制造柔性半导体层提出了新思路。
一种基于聚酰亚胺电纺膜柔性染料太阳能电池复合阳极及其制备方法

[发明专利]一种半导体复合光阳极、制备方法及应用-CN202111124932.3在审
发明人：郭惠霞;张玉蓉;王珊;李亮亮;王晓童 -专利权人：西北师范大学
申请日： 2021-09-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23F13/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种二元半导体复合光阳极、自组装形成的三元半导体复合光阳极、制备方法、及在光生阴极保护方面的应用。所述二元半导体复合光阳极为WO3/BiVO4，首先在FTO制备WO3种子层，其次制备WO3纳米板，然后制备BiVO4纳米颗粒得到二元半导体复合光阳极WO3/BiVO4；同时，所述的二元半导体复合光阳极WO3/BiVO4与电解液中的Na2S反应，原位生长Bi2S3，自组装得到三元半导体复合光阳极WO
一种半导体复合阳极制备方法应用

[发明专利]荧光共振能量转移光阳极及其制备方法-CN201710569389.5有效
发明人：梁桂杰;李望南;陈美华;汪竞阳;钟志成;程晓红;王松 -专利权人：湖北文理学院
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：一种荧光共振能量转移光阳极及其制备方法，属于光阳极技术领域。光阳极含导电基片、吸附于该基片的n型半导体膜及吸附于该半导体膜的光电传输层，光电传输层含连接于该半导体膜的方酸染料、连接于方酸染料的卤代硫醇及连接于卤代硫醇的Ⅰ型核壳结构量子点，该量子点的壳层导带位置高于方酸染料的方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于方酸染料醇溶液中敏化、于卤代硫代乙酸酯的甲苯溶液中回流卤代后水解，得连接有功能桥链分子的半导体光阳极；将含ZnS壳层的Ⅰ型核壳结构量子点分散于甲苯浸泡该半导体光阳极
方酸染料光阳极卤代量子点荧光共振能量转移半导体光阳极半导体膜导电基片光电传输核壳结构壳层硫醇吸附制备荧光共振能量转移效率光电转化效率硫代乙酸酯导带位置光谱响应甲苯溶液吸光效率醇溶液可控性甲苯敏化桥链水解沉积浸泡

[发明专利]一种宽光谱吸收的量子点敏化的宽带半导体光阳极-CN201010573426.8有效
发明人：徐雪青;徐刚 -专利权人：中国科学院广州能源研究所
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01G9/048 文献下载
摘要：本发明提供了一种宽光谱吸收的量子点敏化的宽带半导体光阳极及其制备方法，在宽带半导体膜电极表面包覆有多种窄带半导体量子点，半导体量子点自宽带半导体表面起由里至外依次叠加，量子点导带位置比宽带半导体高且由里至外依次升高本发明量子点在宽带半导体光阳极表面覆盖率高，量子点分布均匀，表面缺陷态少，不仅可实现宽光谱的强吸收，而且可有效实现电子-空穴的分离和光电子向宽带半导体的转移和注入，对于有效提高太阳电池光电转换效率具有积极意义不仅可用作光电化学太阳能电池的光阳极，也可用作太阳能光化学反应的光阳极。
一种光谱吸收量子点敏化宽带半导体阳极

[发明专利]半导体发光元件安装模块和半导体发光元件模块-CN201210448243.2有效
发明人：佐藤敦 -专利权人：京瓷连接器制品株式会社
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件安装模块和半导体发光元件模块。所述半导体发光元件安装模块包括金属导体板，所述金属导体板包括在其一侧上的阳极和阴极终端接触件，其中，半导体发光元件的阳极和阴极与阳极和阴极终端接触件是分别可连接的；金属散热器构件，所述金属散热器构件设置成与所述金属导体板分离；以及表面绝缘部件，所述表面绝缘部件覆盖金属导体板和散热器构件的表面，同时外露散热器构件的至少一部分以及阳极和阴极终端接触件。扣紧构件设置在表面绝缘部件上并且从金属导体板的一侧突出。扣紧构件可以与光接收构件接触，所述光接收构件接收从半导体发光元件发出的光。
半导体发光元件安装模块

[发明专利]一种提高窄带隙半导体光阳极稳定性及转化效率的方法-CN201911071152.X有效
发明人：李灿;赵永乐 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C25B11/052 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高窄带隙半导体光阳极稳定性及转化效率的方法。通过在窄带隙半导体光阳极表面进行功能多层保护，可以有效地钝化光阳极表面缺陷，高效地提取半导体光生空穴，显著地抑制表面光腐蚀反应，从而提高了光阳极的稳定性。特点是使用绝缘氧化物为介电层，水合氧化铁为空穴存储层以及产氧催化剂层，可以很大程度上避免光生电荷的复合。利用本发明提供的方法，可以使窄带隙半导体光阳极的稳定性由数分钟提高至5天以上。
一种提高窄带半导体阳极稳定性转化效率方法

[发明专利]一种光电协同过氧化氢处理氯酚类污染物的装置及其应用-CN202111305758.2在审
发明人：张敬东;闫凯;覃锦 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C02F3/00 文献下载
摘要：本发明装置包括半导体光阳极，用于在光照作用下产生光生空穴氧化降解氯酚类污染物；催化阴极，与半导体光阳极电连接，用于接受半导体光阳极产生的光电子，将电解液中的溶解氧还原为过氧化氢，所述催化阴极负载有过氧化物酶，所述过氧化物酶能够催化过氧化氢降解氯酚类污染物；电解池，用于装载半导体光阳极、催化阴极和电解液。本发明将半导体光阳极与过氧化物酶修饰的催化阴极耦合，构成酶联光电催化水处理系统，可实现污染物的深度、快速去除。
一种光电协同过氧化氢处理氯酚类污染物装置及其应用

[发明专利]一种图形化集成式高效光催化分解水系统的构筑方法-CN201811254244.7有效
发明人：刘岗;甄超;朱洪雷;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：以光刻技术为手段在导电基体上进行图形化设计，利用各种成膜方法在光刻显影去除光刻胶的图形区域内沉积n(或p)型半导体作为微区光阳极(或光阴极)。然后去除图形以外未显影的光刻胶，利用电化学方法在相应区域内沉积p(或n)型半导体作为微区光阴极(或光阳极)。n型半导体光阳极受光激发产生的光生空穴扩散至表面将水氧化释放出氧气，p型半导体光阴极受光激发产生的光生电子扩散至表面将水还原释放氢气，而n型半导体中光电子则通过导电基体与p型半导体中光生空穴复合，最终通过
一种图形集成高效光催化分解水系构筑方法

[发明专利]一种有机-无机半导体杂化的双光电极无偏压光电催化全分解水制氢方法-CN202110258977.3在审
发明人：李灿;师文文;叶盛 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明公开一种有机‑无机半导体杂化双光电极无偏压光电催化全分解水制氢方法，其中采用的电解池包括光阳极、光阴极、电解液；光阳极含有半导体材料I；光阴极含有半导体材料II；当材料I为无机半导体材料时，材料II为有机半导体材料；当材料I为有机半导体材料时，材料II为无机半导体材料；该体系中光阳极与光阴极两种半导体材料吸光范围不同，确保耦合体系形成互补吸光范围，在光照无需外加偏压情况下可将水全分解为氢气和氧气，本发明利用有机、无机半导体可以吸光互补的特性，充分利用太阳光，克服目前双无机半导体光电极体系的吸光重叠问题，得到大于4％的太阳能‑氢能转化效率，可实现大规模持续太阳能制氢。
一种有机无机半导体电极偏压光电催化分解水制氢方法

[发明专利]逆光电化学电池-CN201310088680.2无效
发明人：曹传宝;郁强 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01M14/00 文献下载
摘要：其结构与现有技术的PEC电池相似，但其工作原理却与现有技术的PEC电池相反；主要由p型半导体、n型半导体、对电极、电解液以及外电路组成；其中p型半导体为光阳极，n型半导体为光阴极；工作时，将p型半导体光阳极施加正向电压，即将p型半导体光阳极与外电源的正极相连，将n型半导体光阴极施加负向电压，即将n型半导体光阴极与外电源的负极相连；这种电池结构使得逆光电化学电池可以在更小的电压下获得更大的电流，更加有效地实现太阳能分解水制氢
逆光电化学电池

[发明专利]有源像素传感器-CN98108710.8有效
发明人：季明华 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 1998-05-29 - 公布日： 1999-12-08 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：一种有源像素传感器，包括光二极管，双载流子晶体管，金属氧化物半导体晶体管。该光二极体，有一阴极连接到电源供应器，及一阳极连接到该金属氧化物半导体晶体管。金属氧化物半导体晶体管，通过切断该光二极管的阳极与双载流子晶体管的基极的连接以避免图像过亮的现象，并将光二极管的阳极与金属氧化物半导体晶体管连接使在光二极管中的电荷流过该金属氧化物半导体晶体管。
有源像素传感器

[发明专利]制备具有高活性光电催化分解水性能的WO3纳米刺/CoPi复合光阳极的方法-CN201511004800.1在审
发明人：金涛;刁鹏;何卫平;王浩伟 -专利权人：中国特种飞行器研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： B01J27/188 文献下载
摘要：制备具有高活性光电催化分解水性能的WO3纳米刺/CoPi复合光阳极的方法，其其制备方法为：(1)WO3纳米晶种合成；(2)制备WO3纳米刺；(3)制备WO3纳米刺/CoPi复合光阳极。优点：（1）采用半导体材料与钴基产氧催化剂复合，提高了半导体材料的光电催化活性，降低了光氧化反应的过电位，节省了能耗；（2）WO3半导体材料通过与钴基产氧催化剂的复合，减少了半导体材料的光腐蚀反应，消除了表面金属过氧化物的形成以及半导体氧化溶解，有效保护了光阳极的光催化分解水活性。
制备具有活性光电催化分解水性 wo3 纳米 copi 复合阳极方法

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